如果大家关注光刻机的发展历史就会知道，别看现在的荷兰ASML很厉害，但在早期真的只是一个小厂，日本的尼康、佳能比ASML牛很多。
当年的尼康、佳能，根本就没有将ASML放在眼里，因为ASML技术不行，市场份额更是毫无可比性，没有逆袭的可能性。
转折点是什么呢？
当时尼康、佳能们已经研发出了DUV光刻机，采用193nm波长的光源。而在这种DUV光刻机后，尼康、佳能觉得应该进一步缩短光源的波长，实现分辨率的提升。
尼康佳能押宝的是157nm波长的光线，觉得应该从193nm，提升至157nm。不过157nm的光线非常不好搞，穿透率很差，容易被空气吸引，所以尼康佳能在不断的改进技术。
这时候台积电的林本坚觉得，为什么要去搞157nm波长的光刻机呢，在193nm波长的光线前面，加一层水，而193nm波长的光线，通过水的折射后，变成134nm了，比157nm波长更短了。
同时134nm的光线穿透性也好，更不容易被吸引，不是比157nm光线强多了么？
但尼康、佳能觉得自己在157nm波长已经投入了几十上百亿研发，机器就要量产了，我才不去搞什么加水的方式，以前大家没用过水来当介质的。
只有ASML觉得这可能是自己的机会，反正光脚的不怕穿鞋的，赌一把了，就和台积电配合，把这种浸润式DUV光刻机搞了出来。
浸润式光刻机，采用193nm波长，经过水折射后变成134nm，比尼康佳能搞的157nm光刻线更厉害，同时成本也低一些，而尼康、佳能死守望157nm，最后是一步错步步错，再也追不上ASML了。
而现在其实ASML也就像当年的尼康、佳能一样，面对浸润式光刻机一样。
为何这么说呢，目前13.5nm波长的极紫外线光刻机，其实已经被ASML发挥到极致了，从NA=0.33，提升至NA=0.55了。但ASML还计划继续提升NA，达到0.75。
而提升NA是非常困难的，就相当于尼康、佳能们当年想从193nm提升至157nm一样，NA提升，各种元件都要提升，难度大，成本高。
而此时，其它光刻机厂商们，也像当年的ASML一样，反正光脚的不怕穿鞋的，去研究采用6.8nm、4.4nm光线技术去了，还有的去研发NIL、DSA、BEL等各种技术去了，都想换一条与ASML这种提升NA的方式。
至于最后是这些小厂商，像当年ASML革了尼康、佳能的命，还是ASML继续称霸光刻机市场，就不得而知了。
反正现在的ASML，也就像当年尼康、佳能面对浸润式光刻机一样，是革自己的命，还是坚持自己的方向，让别人来革命？当然现在谁也说不出谁对谁错，只能交给时间了。
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